Η Samsung Electronics ανακοίνωσε ότι ολοκλήρωσε την ανάπτυξη της πρώτης DDR4 DRAM τον περασμένο μήνα με τη χρήση της τεχνολογίας chip 30nm και προσφέρει 1.2V 2GB DDR4 UDIMM .
Η νέα μονάδα DDR4 DRAM μπορεί να επιτύχει ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων 2.133Gbps στο 1.2V σε σχέση με τα 1.35V και 1.5V που χρησιμοποιεί DDR3 DRAM σε ισοδύναμο chip τεχνολογία 30nm με ταχύτητες έως και 1.6Gbps.
H DDR4 μειώνει την κατανάλωση ρεύματος κατά 40 τοις εκατό σε σύγκριση με μια 1.5V DDR3 ενότητα.
Με την υιοθέτηση της νέας αρχιτεκτονικής DDR4 της Samsung θα είναι σε θέση να τρέξει μέχρι και 3.2Gbps σε σύγκριση με συνήθεις ταχύτητες 1.6Gbps για DDR3 και 800Mbps για DDR2.
Πηγη : Techspot
